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仙客来栽培繁殖

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    仙客来的繁殖方法可分为两类:即有性繁殖(播种繁殖)和无性繁殖(营养繁殖),后者包括分割块茎繁殖、组织培养繁殖及其他形式的营养繁殖。

  播种繁殖 仙客来种子较大,每克约100粒,一般发芽率为85%―95%,种子常发芽迟缓,出苗不齐。为促进种子发芽,可于播前浸种催芽,用冷水浸种一昼夜或30℃温水浸泡2―3小时,然后清洗掉种子表面的粘着物,包于湿布中催芽,保持温度25℃,经1―2天,种子稍微萌动即可取出播种。播种繁殖的时间一般在9―10月份。仙客来喜疏松肥沃、排水良好而富含腐殖质的沙质壤土,播种用土可用腐叶土、壤土、河砂等量混合或腐叶土3份、砻糠灰1份、黄泥1份混合使用。播种时种子间距为2厘米,播于浅盆浅箱中,覆土厚0.5―1厘米,用浸盆法浇水,上盖玻璃保湿,玻璃上最好再覆盖子遮光物,以确保种子处在黑暗之中。播后将苗盆置于15℃―22℃的环境中,约28―40天苗可陆续出齐。出苗后分步除去遮光物使幼苗逐步见光。当幼苗真叶长到2―3枚时,移植于小营养钵内。栽植深度为球茎的1/2―2/3。待根系稳定后可进行施肥,氮、磷、钾比例为2:1:1;小苗长至6―8枚真叶时,可进行第二次移植,定植于大一号的盆中。 

    组织培养繁殖 近年来,植物快速繁殖技术在世界各地发展很快,已形成一个新兴的产业,应用于众多的园艺植物生产当中,仙客来的快速繁殖在生产中也得到了广泛的应用。仙客来快速组培繁殖可采用花蕊、块茎、叶片、幼茎等作为外植体,一般从一二年生幼株上采集,其中以块茎作为外植体最易诱导产生幼苗。以块茎为外植体可选用MS培养基,以MS+3mg/L6-BA+1mg/LNAA为诱导培养基,以1/2MS+0.3mg/LNAA为生根培养基,以MS+3mg/L6-BA+0.4mg/LNAA为继代培养基。组织培养具有较高的技术要求,繁殖时应确定适宜的外植体采集时期,采集部位,筛选最佳的培养基配方,快繁过程中各步骤应严格按照操作规程来进行,要严格防止病苗及弱苗的产生。组培繁殖对于那些市场销路好的新优品种的迅速推广无疑有着强大的优越性。

  分割块茎繁殖 仙客来虽为多年生球根类花卉,但其块茎不能自然分生子球,因而不能像一般球根花卉那样分球繁殖。在园艺生产上,仙客来大都作一二年生栽培,一二年生植株生长旺盛,开花繁多,而3年生以上植株,虽开花增多,但花朵变小,植株生活力逐渐衰退,越夏困难,而且较老的块茎容易腐烂或休眠后发芽不良甚至全不发芽,故多弃之不再栽培。但这样的块茎却可以通过切割处理,人为促进块茎增殖来繁殖新个体。一般在8月下旬块茎即将萌动时,将块茎自顶部纵切分成几块,每块都应带有芽眼,将切口涂以草木灰,稍微晾干后,即可分植于花盆内,精心管理,不久即可展叶开花。但此法有如下缺点:繁殖系数小;易腐烂,管理困难;植株开花少、株型不美、块茎不圆整等,实际中应用较少。 

    其他营养繁殖 近年来,国际上对仙客来的营养繁殖进行了多方面的研究和积极的尝试,取得了很多有益的经验,其中以下一些方法应用较多。 

  (1)用块茎截块在无菌条件下进行组织培养形成再生植株。此种方法实质上就是块茎分割扦插与组培无菌繁殖技术的结合。 

    (2)用带有部分块茎组织的叶芽扦插,实质上属于块茎分割扦插繁殖。 

    (3)在原盆内将块茎上部切除,然后作纵切分割,使之形成再生苗,实际上是前述分割块茎繁殖的改良方法。 

    选生长健壮、充实肥大的块茎,于花后1―2个月进行分割,一般适期为5―6月。分割前必须降低盆内土壤湿度,以抑制过多伤流的产生。盆土的适宜湿度经验上一般用手触摸来判断,当叶片稍有柔软感时,即为适宜的土壤湿度。分割时,先将块茎上部切除,厚度约为块茎的1/3,然后作放射状或井字状、十字状纵切,深度以不伤根系为度,块茎越大,所分割出的小块块茎越多,一个直径6厘米的块茎约可切分成24―28个小块。切割后应立即将盆用塑料薄膜罩好,置于30℃温度下,进行熟化处理,以促使切面尽早愈合。在切割后至伤口形成周皮大约需要10―14天。形成周皮后降温至20℃,以促使切面形成不定芽,这一过程大约需要3―4周,管理的要点是要保持分割时的土壤湿度,严格防止盆土水分的较大变化,及时补充失去的水分。大约在分割后30―50天,各切块相继形成不定芽,此时,再降低温度到15℃左右,使萌发的不定芽逐渐适应环境。自不定芽开始形成,逐渐增加浇水量,促进根系活动,并每周追施液肥一次。分割约100天后,基本形成再生植株,便可分栽上盆,过小的幼株也可继续再培养一段时间。

    这里着重介绍一下最后一种方法:众所周知,仙客来的块茎是由胚轴肥大所形成的,当块茎切除上部后,切面上能生出不定芽而形成再生的植株,而一个块茎上能生出多个再生芽而得到多个再生个体,将这些再生个体一一分开栽植便可得到许多新的植株,栽培中可以利用仙客来的这一特性来进行繁殖。
 
 
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